内存条时序怎么看好坏的_内存条时序怎么看好坏的图解

内存条时序怎么看好坏的_内存条时序怎么看好坏的图解

       最近有些日子没和大家见面了，今天我想和大家聊一聊“内存条时序怎么看好坏的”的话题。如果你对这个话题还比较陌生，那么这篇文章就是为你而写的，让我们一起来了解一下吧。

1.我发现，现在的DDR3内存的时序五花八门，怎么选择？

2.内存时序高会怎么样？影响电脑性能吗？

我发现，现在的DDR3内存的时序五花八门，怎么选择？

       我来回答你的问题。

        1.你索列举的时序，每个位置的数据代表的是CL-tRCD-tRP-tRAS。

        CL是CAS Latency的简称，也就是内存CAS延迟时间。简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。

        tRCD意思是RAS to CAS Delay，是内存行地址传输到列地址的延迟时间（RAS至CAS延迟)。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。

        tRP意思是是RAS Precharge Delay，意思是内存行地址选通脉冲预充电时间。

        tRAS意思是Row Active Delay。tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay（行有效至行预充电时间）。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。

        你可以看到上面的解释，基本都是有关于延迟的，只有一个是trp是脉冲预充电时间，不管是延迟还是预充电时间， 都是越小越好，所以你列举的时序数字是越小越好。而相同频率，自然也是时序越小越好。

        2，回答这个问题之前你已经知道时序是越小越好，那么内存的频率也当然是越高越好，频率越高传输的数据就越快，而时序（延迟）也是时间越短反应越迅速。但是理论来说，频率越高时序也就越高，延迟也就越大。内存厂家为了稳定，只能取一个中间值，不至于太高影响性能，也不至于太低影响稳定性。给你打个比方，一辆动车和一辆跑车。动车延迟大，但是它速度快（频率），稳定，但是启动和停车需要相当长的距离（延迟）。而跑车可以在很短的时间内达到最高速度（频率），启动和停车都需要很短的时间（延迟）并且反应灵敏。你说是快的好还是灵敏的好？现在DDR3 1600的一般时序是11-11-11-28，而一般性能比较高，DDR3 1600时序会在9-9-9-24左右。

        3，时序和内存的容量大小无关，和内存的频率有关。

        4，现在的内存频率都比较高，目前主流频率都1600了，单通道带宽可以达到12.5G/S，双通道可以达到25G/S。单通道升级成双通道在性能上会有一些提升，但是当超过双通道之后带宽已经明显不是瓶颈了，已经没有多大的性能上的提升了。所以双通道是目前的首选，再多通道提升也很小。除非是应用再带宽需求更大的电脑上或者配置高的电脑上，比如用来做运算的电脑或者服务器用电脑都需要很高的CPU性能和很高带宽。一般来说普通的家用电脑双通道足以。

内存时序高会怎么样？影响电脑性能吗？

       内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。

       因为不同频率的内存的价格相差并不是很大，除了那些发烧级产品。从长远的目光来考虑，我们建议大家尽量购买高频率的内存产品。这样或许你将来升级CPU时可以节省一笔内存费用，高频率的内存都是向下兼容的。例如如果购买了PC3200400MHz的内存，标明的CAS延迟是2.5。如果你实际使用时把频率降到333MHz，通常情况下CAS延迟可以达到2。

        一般而言,想要保持内存在一个高参数,如果不行可以采取降低频率的方法。但对处理器超频时，都会要求较高的总线速度，此时的瓶颈就在内存系统上，一般只有靠牺牲高参数来保持内存频率和CPU的外频同步。这样可以得到更大的内存带宽，在处理大量数据时就能明显的从中获益，例如数据库操作，Photoshop等。

        另外一点值得注意的是，PC3200或PC3500规格的内存，如果CAS延迟可以设为2，也能在一定程度上弥补内存带宽。因为此时CPU和内存交换数据时间隔的时间大大减少

       内存时序高说明系统的性能较低，延迟大，故会对电脑的性能产生一定的影响。

       内存定时较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

       记忆体计时是描述记忆体模组效能的参数。它通常存储在存储模块的spd中，简称cl值，它是记忆的重要参数之一。一些品牌的内存会在内存模块的标签上打印cl值，目前一般较好的内存模块都会在参数中标注cl值。

       一般来说，时序是决定存储器性能的一个参数，但并不意味着时序越低，性能越好。它还与存储容量和频率有关，只能说在相同容量和频率的两个存储器中，定时越低，性能越好。

扩展资料：

       内存时序具体含义：

       存储器定时是描述存储器模块性能的参数，通常存储在存储器模块的spd中，与通用编号“a-b-c-d”对应的参数是“cl trcd trp tras”，其含义如下：

       1、cl：列寻址所需的时钟周期（表示延迟的长度）

       的确，在相同的频率下，cl值越小，存储模块的性能越好，随着存储模块频率的增加，ddr1-4的cl值越来越大，但其实际cl延迟时间几乎没有变化。这意味着cl值越大，存储模块的cl延迟越大，存储模块的cl延迟越差，相反ddr1-4的cl值越高，上升频率越高。

       2、tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的区别

       TrCD的值对记忆的最大频率有最大的影响，内存模块想达到高频，但如果不能提高电压，放松cl值，只能增加trcd值。

       今天的DDR4一般是1.2V。如果你想让CL看起来很好，如果你想让内存模块被超频到一个更高的水平，那么就增加TRCD，如果你想要灯光效果，那么就增加计时。因此，大的trcd并不意味着坏的存储模块，相反，它意味着存储模块可以超过很高的频率。

       3、TRP：下一个周期前预充电所需的时钟周期

       虽然trp的影响会随着银行的频繁经营而增加，但其影响也会因银行间的交叉经营和指令供给而减弱。trp的放松有利于提高行地址激活和关闭的命中率和准确性，放宽trp，使内存模块更加兼容。

       4、tras：存储一行数据时，从操作开始到寻址结束的总时间段。

       此操作不经常发生，仅在内存空闲或新任务开始时使用。tras值太小会导致数据错误或丢失，值太大会影响内存性能，如果内存模块的负载较大，tras的值可以稍微放宽。

       百度百科--内存时序

       今天的讨论已经涵盖了“内存条时序怎么看好坏的”的各个方面。我希望您能够从中获得所需的信息，并利用这些知识在将来的学习和生活中取得更好的成果。如果您有任何问题或需要进一步的讨论，请随时告诉我。